Vishay發(fā)布新款采用20V P溝道MOSFET

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 11 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封裝的器件，在實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的同時，高度比通常的0.75mm還要低28%，同時保持相同的PCB布版樣式。

　　Si7655DN的應(yīng)用將包括工業(yè)系統(tǒng)中的負載開關(guān)和熱插拔，適配器、電池和充電電路中的負載開關(guān)，智能手機、平板電腦和其他移動計算設(shè)備中的電源管理。Si7655DN還可以用于固話電信、蜂窩電話基站和服務(wù)器/計算機系統(tǒng)中的冗余開關(guān)、OR-ing和監(jiān)管應(yīng)用。

　　利用新的PowerPAK 1212封裝型號和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的P溝道Gen III技術(shù)，Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大導(dǎo)通電阻。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

　　Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能夠在電路中實現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運行的時間更長，且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封裝將有助節(jié)省寶貴的空間。

　　Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET系列中的最新成員。有關(guān)TrenchFET Gen III系列的更多信息，見www.vishay.com/doc?49996。

　　新的Si7655DN現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　PowerPAK®是Siliconix公司的注冊商標(biāo)。

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