富士通半導體MB86L13A獲EDN China 2012年度創新獎之通信與網絡類手機組最佳產品獎

　　上海，2012年11月16日 – 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，其面向LTE專向應用而開發的LTE(FDD和TDD)優化收發器---MB86L13A榮獲EDN China 2012年度創新獎“通信與網絡類手機組”之最佳產品獎。 此芯片在延續富士通半導體第一代多模多頻LTE射頻收發器的特性之外，可幫助現有的手機客戶在其2G/3G產品基礎上快速增加4G LTE功能，實現最快速的4G手機產品(同時支持2G/3G)研發。

　　EDN創新獎源自美國硅谷，自2005年引入中國之后，已成為在中國微電子領域最具影響力的獎項之一。 在2012年，共有71家公司的130款產品報名EDN China創新獎。富士通半導體的4G LTE 射頻收發芯片MB86L13A芯片從眾多產品中脫穎而出，折桂于通信與網絡類的手機組，彰顯這款產品的創新性及先進性。

　　MB86L13A支持FDD-LTE和TDD-LTE兩種4G制式，可以幫助無線終端公司開發功能強大的LTE終端(手機，數據卡，平板電腦等)。該芯片采用富士通開拓的RFIC設計架構，無需外部的低噪聲放大器(LNAs)和級間聲表面波(SAW)濾波器，可覆蓋700 MHz～2700 MHz的頻譜。其多個發送、接收和分級端口，可為漫游所需的映射端口和基帶提供極大的靈活性。該收發器使用公開標準MIPI DigRF D4G V1.0基帶接口，支持全球的FDD頻段1-21, 23-25和TDD頻段33-41。此外，MB86L13A還能支持高達20MHz的全部LTE帶寬。

　　“非常高興能夠獲得2012年的EDN創新獎之最佳產品獎,也非常感謝EDN China對我們的認可”富士通半導體亞太區市場副總裁鄭國威先生表示：“目前，受業界普遍看好的LTE將成為4G技術的主流。許多基帶供應商都在為既有的2G/3G解決方案追加強有力的LTE能力，而MB86L13A可加快這些產品的上市時間，快速地在既有2G/3G方案上增補多頻的LTE功能。”

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　　富士通半導體(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連、廈門、西安、青島和武漢等地均設有分公司，負責統籌富士通在中國半導體的銷售、市場及現場技術支持服務。

　　富士通半導體(上海)有限公司的產品包括專用集成電路(ASIC)、單片機(MCU)、專用標準產品(ASSP)/片上系統(SoC)和系統存儲芯片，它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應用于廣泛領域。在技術支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設計中心和解決方案設計中心，通過與客戶、設計伙伴、研發資源及其他零部件供應商的溝通、協調，共同開發完整的解決方案，從而形成一個包括中國在內的完整的亞太地區設計、開發及技術支持網絡。欲了解更多信息，請訪問網站：http://cn.fujitsu.com/fss。

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