Vishay Siliconix最新推出的P溝道功率MOSFET的導(dǎo)通電阻不僅為業(yè)內(nèi)最低

　　這款20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在緊湊的2mm x 2mm的占位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)了從18mΩ@4.5V至65mΩ@1.8V的導(dǎo)通電阻

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2009 年 11 月 23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術(shù)的最新器件，使用了自矯正的工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了1億個(gè)晶體管。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的間距工藝，將目前業(yè)界最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了近一半。

　　SiA433EDJ具有超低的導(dǎo)通電阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下，這些數(shù)值比最接近的競爭器件小40%和30%。

　　新的MOSFET也是唯一同時(shí)具有12V柵源電壓和可在1.8V額定電壓下導(dǎo)通的20V器件。這樣就可以將該器件用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓導(dǎo)致的更高柵極驅(qū)動電壓波動的應(yīng)用，同時(shí)在采用更低輸入電壓的應(yīng)用中提供更安全的設(shè)計(jì)。

　　SiA433EDJ可以用作手持設(shè)備，如手機(jī)、智能手機(jī)、PDA、MP3播放器中的負(fù)載、電池和充電開關(guān)。MOSFET的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，節(jié)約能量并延長這些設(shè)備中兩次充電之間的電池壽命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封裝的一半，卻能提供近似的導(dǎo)通電阻，其緊湊的PowerPAK SC-70封裝可將節(jié)約出來的電路板空間用于其他產(chǎn)品特性，或是實(shí)現(xiàn)更小的終端產(chǎn)品。

　　為減少ESD導(dǎo)致的故障，器件內(nèi)置了一個(gè)齊納二極管，使ESD保護(hù)提高到1800V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范，符合RoHS指令2002/95/EC，通過了完整的Rg測試。

　　新的SiA433EDJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第一季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周至十六周。

VISHAY SILICONIX簡介
　　Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率 MOSFET 和用于在計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計(jì)算機(jī)磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix 的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個(gè)基于槽硅工藝（TrenchFET®）的功率型 MOSFET 和業(yè)內(nèi)第一個(gè)小型的表面貼裝的功率型 MOSFET（LITTLE FOOT®）。
　　創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設(shè)計(jì)用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負(fù)荷切換的應(yīng)用中最佳化功率 MOSFET 的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK®）和更小空間（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封裝選擇。除了功率 MOSFET 外，Vishay Siliconix 的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix 功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計(jì)算機(jī)、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。
　　Siliconix 創(chuàng)建于 1962 年，在 1996 年 Vishay 購買了其 80.4% 的股份使其成為 Vishay子公司。

VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
　　TrenchFET®和 PowerPAK®是 Siliconix Incorporated 的注冊商標(biāo)

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