無錫鳳凰高電流密度NPT型IGBT芯片科技成果通過鑒定

　　無錫鳳凰半導體科技有限公司“高電流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鑒定會今日順利舉行。會議成立了由電力電子業界權威專家組成的鑒定委員會，無錫市科技局副局長趙建平、濱湖區副區長吳建昌、濱湖區科技局局長吳云亮、濱湖區科技局副局長祁華等領導也親臨指導。鑒定會由中國電器工業協會電力電子分會組織并主持。

　　無錫鳳凰半導體科技有限公司總經理屈志軍、副總經理梁為民及項目組有關人員向鑒定委員會做了立項、設計、研制、工藝、測試、用戶使用、經濟分析等報告，簡明扼要闡述了整個項目的完成過程。

　　屈總認為，IGBT作為一種高節能型開關器件，其銷量勢頭迅猛、發展潛力巨大、市場前景廣闊，是國際公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品。但由于IGBT對技術要求較高，目前在我國國內基本為封裝環節，國內企業并未掌握核心技術，以致市場需求的IGBT基本依靠進口，國內市場主要被歐美、日本企業所壟斷。無錫鳳凰基于對國內外市場形勢的準確判斷，并以發展民族電力電子器件產業為己任，于2008年9月開始開發IGBT系列芯片。經過一年多時間的攻關，項目終于順利完成。

　　無錫鳳凰半導體科技有限公司總經理屈志軍　無錫鳳凰半導體科技有限公司副總經理梁為民

　　據介紹，該項目采用自主研發的薄片工藝生產NPT平面型IGBT芯片，實現國內首條薄片NPT-IGBT芯片生產線，具有高電流密度、正溫度系數、低通態損耗、快速及低成本等優點。并根據市場需求，首先開發1200V，20A的器件，應用于電磁爐產品。

　　鑒定委員會專家認真聽取了課題組所做的報告，審查了有關技術文件，并進行了現場抽樣檢測，參觀了工藝線，同時進行了相關提問。專家指出：該項目基于仿真平臺對器件元胞結構參數進行優化設計，并采用獨特的背面制造工藝，提高了電流密度，降低了功耗；采用自主研發的電子輻照工藝，有效地控制了載流子壽命，提高了器件的一致性和頻率特性；改造了原有工藝設備，滿足了薄片工藝要求，為產業化奠定了基礎。項目具有自主知識產權，創新性強。最后，鑒定委員會經討論認為：該項目成果技術指標先進，主要技術參數達到國際同類產品的先進水平，一致同意通過科技成果鑒定。并建議加速產業化，滿足市場需求。

　　無錫市科技局副局長趙建平及濱湖區副區長吳建昌在講話中高度贊賞無錫鳳凰的高起點和高效率，認為在如此短時間內完成具有國際先進水平的高科技項目實屬難能可貴，并表示一如既往全方位支持無錫鳳凰快速持續發展，同時大力推廣鳳凰模式——將本土傳統產業資本與海外高科技產業嫁接合作，加快促進無錫傳統產業向高端化發展。

　　無錫鳳凰半導體科技有限公司董事長陳衛宏先生對于各位專家和領導親臨指導表示衷心的感謝，并表示集團公司將全力支持以屈志軍領銜的“鳳凰半導體”博士科研團隊充分發揮自身技術優勢，同時借鑒集團公司多年積累的營銷經驗，迅速將高新技術推向市場，加速產業化，滿足日益擴大的市場需求，從而實現科技報國的宏愿。

　　關于無錫鳳凰

　　無錫鳳凰半導體科技有限公司是2008年7月由海外歸國創業人才團隊在無錫注冊成立的專門從事專業電力電子半導體器件及模塊生產的高科技公司。由多名留美博士共同組成核心研發團隊，開發生產IGBT等電源管理芯片。是江蘇省無錫市重點扶植的530高科技企業。公司在無錫濱湖經濟開發區擁有1.5萬平方米廠房，在無錫太湖新城科教產業園設立研發中心。現有千級凈化車間1000平方米及與生產配套的可靠性實驗室、器件測試實驗室、失效分析實驗室。公司以電源管理系統器件為主營產品，是一家集研發、生產、銷售一體化的企業。主營產品有絕緣柵雙極性三級管IGBT、FRED、MOSFET、功率IC芯片；電動車、電焊機、電機變頻調速、燈光控制等功率模塊。