三菱電機在PCIM中國展推出全新R系列HVIGBT模塊

3300V R系列HVIGBT模塊采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和軟恢復高壓二極管硅片的組合，在不影響模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關斷損耗折衷特性得到了25%的改善。

新型二極管的使用減小了反向恢復電流，且軟反向恢復特性維持了現有二極管設計的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技術大大降低了模塊的功率損耗，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達1500A，而過往產品的最大額定電流只有1200A。實驗證明，通過調節導通和關斷柵極電阻值可以在比較大范圍內控制模塊的開關特性。

6500V R系列HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式，小型，中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區（SOA）寬的特性，其二極管硅片具有軟反向恢復特性、功率損耗低和安全工作區（SOA）寬的特性，從而達至模塊的總的功率損耗低，可靠性高。

新的R系列HVIGBT模塊還推出4500V R系列，電流分別有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模塊硅片的運行溫度上限由過去的125°C提高到150°C，模塊的儲存最低溫度從過去的-40°C降低到-50°C。

三菱電機機電（上海）有限公司簡介

三菱電機創立于1921年，是全球知名的綜合性企業集團。在最新的《財富》500強排名中，名列第215。

作為一家技術主導型的企業，三菱電機擁有多項領先技術，并憑強大的技術實力和良好的企業信譽在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電等市場占據著重要的地位。

三菱電機機電（上海）有限公司把弘揚國人智慧，開創機電新紀元視為責無旁貸的義務與使命。憑借優越的技術與創造力貢獻產業的發展以促進社會繁榮。

三菱電機半導體產品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產品，其中三菱功率模塊在電機控制、電源和白色家電的應用中有助于您實現變頻、節能和環保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產品將為您在各種模擬/數字通訊、有線/無線通訊等應用中提供解決方案。

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