IGBT的工作原理和工作特性
IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGBT導(dǎo)通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過(guò)反向基極電流,使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。
當(dāng)MOSFET的溝道形成后,從P+基極注入到N一層的空穴(少子),對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N一層的電阻,使IGBT在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。
IGBT的工作特性包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類:
1.靜態(tài)特性IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開(kāi)關(guān)特性。
IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí),漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制,Ugs越高,Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT,正向電壓由J2結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū),則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平,加入N+緩沖區(qū)后,反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平,因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。
IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同,當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th)時(shí),IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi),Id與Ugs呈線性關(guān)系。最高柵源電壓受最大漏極電流限制,其最佳值一般取為15V左右。
IGBT的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí),由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管,所以其B值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu),但流過(guò)MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí),通態(tài)電壓Uds(on)可用下式表示
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh ( 2 - 14 )
式中 Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓,其值為 0.7 ~ IV ;
Udr ——擴(kuò)展電阻 Rdr 上的壓降;
Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流 Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos (2 - 15 )
式中 Imos ——流過(guò) MOSFET 的電流。
由于 N+ 區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),所以 IGBT 的通態(tài)壓降小,耐壓 1000V 的 IGBT 通態(tài)壓降為 2 ~ 3V 。
IGBT 處于斷態(tài)時(shí),只有很小的泄漏電流存在。
2 .動(dòng)態(tài)特性 IGBT 在開(kāi)通過(guò)程中,大部分時(shí)間是作為 MOSFET 來(lái)運(yùn)行的,只是在漏源電壓 Uds 下降過(guò)程后期, PNP 晶體 管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。 td(on) 為開(kāi)通延遲時(shí)間, tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開(kāi)通時(shí)間 ton 即為 td (on) tri 之和。漏源電壓的下降時(shí)間由 tfe1 和 tfe2 組成,如圖 2 - 58 所示

IGBT 在關(guān)斷過(guò)程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍R驗(yàn)?MOSFET 關(guān)斷后, PNP 晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除,造成漏極電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間, td(off) 為關(guān)斷延遲時(shí)間, trv 為電壓 Uds(f) 的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏極電流的下降時(shí)間 Tf 由圖 2 - 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 兩段組成,而漏極電流的關(guān)斷時(shí)間
t(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 )
式中, td(off) 與 trv 之和又稱為存儲(chǔ)時(shí)間。

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