中芯國際宣布背照式CMOS傳感器開發取得突破

　　北京時間12月20日晚間消息，中芯國際(NYSE：SMI)宣布，該公司在背照式CMOS圖像傳感器的開發中取得突破，第一款測試芯片即使是在弱光環境下也能取得不錯的圖像效果。

　　這一背照式處理技術為中芯國際獨立開發，將提供給高端手機的攝像頭。中芯國際將于2013年與合作伙伴一起生產這款芯片。中芯國際在背照式處理技術方面的成功將擴大該公司的CMOS圖像傳感器產品線，包括500萬或更高像素的手機攝像頭，以及高性能視頻攝像頭。

　　相對于前照式CMOS圖像傳感器，背照式傳感器有著更高的光敏性，有助于智能手機在黑暗中或室內拍攝出亮度更高、更清晰的照片。在推動背照式CMOS圖像傳感器量產的同時，中芯國際將很快開始開發下一代基于3D集成電路的CMOS圖像傳感器技術。