FRAM 在汽車行駛記錄儀中的應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

Ramtron 中國服務(wù)中心

中國的汽車行駛記錄儀中的數(shù)據(jù)應(yīng)該包括二個(gè)部分，一部分為汽車實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)(存放汽車發(fā)生事故前后的數(shù)據(jù))，另一部分為汽車歷史數(shù)據(jù)(存放汽車和司機(jī)的行駛狀況)。汽車實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)主要是用于分析事故發(fā)生的原因和事故的責(zé)任, 汽車歷史數(shù)據(jù)作為事故分析的參考依據(jù)和對(duì)汽車和司機(jī)的運(yùn)行狀況考核，歷史數(shù)據(jù)是以當(dāng)前汽車實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)為依據(jù)。整個(gè)汽車行駛記錄儀記錄的是2 個(gè)輸入量(如速度,剎車)的狀況，其他可以根據(jù)廠商的要求存儲(chǔ)7 個(gè)開關(guān)量的數(shù)據(jù)(轉(zhuǎn)向燈,車門等)，比較高級(jí)的還會(huì)記錄發(fā)動(dòng)機(jī)的溫度和其他的一些輸入量的狀況。由于行駛記錄儀的數(shù)據(jù)是如此重要，所以對(duì)存儲(chǔ)器的要求很高。

存儲(chǔ)歷史數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器大家都比較容易選擇，目前大容量的Flash 和U 盤，很多廠商都能提供。最難的是汽車的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器比較難選擇，因?yàn)閷?shí)時(shí)數(shù)據(jù)比歷史數(shù)據(jù)更為重要，而且要求掉電后數(shù)據(jù)能保存(發(fā)生事故時(shí),汽車系統(tǒng)可能會(huì)沒有電源)，為了實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，要求由于輸入量的檢測(cè)周期越短越好,據(jù)目前我們了解,國標(biāo)要求最大0.2 秒采集一次數(shù)據(jù),以20 秒為一個(gè)存儲(chǔ)單位, 實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)10 次20 秒的數(shù)據(jù),也就是說在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)需要存儲(chǔ)200 秒的數(shù)據(jù),到了200 后,將實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)抽樣送入歷史記錄中,然后實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)中的重新覆蓋,由此可見,在實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)中的存儲(chǔ)器要求很高。

對(duì)儲(chǔ)器要求:
1)掉電后數(shù)據(jù)需要保存;2)擦寫數(shù)據(jù)多,3)可靠高.
目前實(shí)現(xiàn)這種要求的方式有以下幾種
1) SRAM+電池+電源管理IC +EEPROM
2) NVRAM
3) FRAM
下面是幾種方案的性能比較:
一 SRAM+電池+電源管理IC+EEPROM

由于EEPROM 和FLASH 的擦寫次數(shù)的限制,檢測(cè)的數(shù)據(jù)量不能實(shí)時(shí)寫入其中,只能存儲(chǔ)在SRAM中,當(dāng)?shù)揭欢ǖ臅r(shí)間或檢測(cè)到掉電后在把數(shù)據(jù)寫入EEPROM和FLASH中,EEPROM存儲(chǔ)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù),Flash 存儲(chǔ)歷史數(shù)據(jù).此方案的特點(diǎn):價(jià)格可能比較便宜,但是性能很不可靠,發(fā)生事故時(shí)可能整個(gè)系統(tǒng)都沒有電,當(dāng)系統(tǒng)檢測(cè)到掉電時(shí),再把SRAM 的數(shù)據(jù)寫入EEPROM 和FLASH 中,已經(jīng)沒有時(shí)間,而且汽車系統(tǒng)的環(huán)境比較復(fù)雜,我們都知道SRAM+電池的存儲(chǔ)方式很不可靠.所以目前很少有工程師這樣設(shè)計(jì).

二)NVRAM+電池管理

NVRAM 有二種,一種為SRAM+電池型,另一種SRAM+EEPROM 型,不管那一種首先價(jià)格比較貴,大家都知道,黑匣子是一個(gè)民用品(3.5 噸以上的貨車和9 人以上的私家車都需要裝黑匣子),如果價(jià)格高,不利于推廣.
另外在性能方面,如果NVRAM 是SRAM+電池型,有電池用完的危險(xiǎn),我們都知道NVRAM 只能用3-5 年,以后可能電池沒有了,所以用之存儲(chǔ)數(shù)據(jù)也不可靠.如果NVRAM 是SRAM+EEPROM 型,由于此存儲(chǔ)器的原理是在工作時(shí),MCU 操作的是SRAM,在檢測(cè)到掉電后在把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到EEPROM 中,這樣也存在發(fā)生事故時(shí)數(shù)據(jù)寫不進(jìn)的危險(xiǎn).所以數(shù)據(jù)存儲(chǔ)也不是很可靠.
在了解第三種方案之前我們先了解FRAM 的基本特點(diǎn):
美國Ramtron 公司鐵電存貯器（FRAM）的核心技術(shù)是鐵電晶體材料．這一特殊材料使得鐵電存貯產(chǎn)品同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM) 和非易失性存貯產(chǎn)品的特性．產(chǎn)品的主要特點(diǎn):
1. 擦寫次數(shù)多,至少達(dá)到1000億次.
2. 速度快,沒有寫等待時(shí)間.
3. 功耗低,讀寫電流150Ua,靜態(tài)電流小于1Ua
4. 讀寫無限次,在超過1000億次后,FRAM還可以做SRAM使用
5. 接口方式與IIC的EEPROM完全兼容,與并口SRAM兼容,與普通SPI接口的EEPROM兼容

三)FRAM 的存儲(chǔ)方式
由于FRAM 有SRAM 的速度和次數(shù),又有Flash 和EEPROM 的特點(diǎn),掉電后數(shù)據(jù)能保存,同時(shí)多功能的FRAM 還有電源管理功能.所以用FRAM 首先可以簡(jiǎn)化系統(tǒng)的電路,減低系統(tǒng)的成本.另外由于FRAM 的特點(diǎn),提高系統(tǒng)的可靠性.
目前歐美和韓國等一些汽車工業(yè)發(fā)達(dá)國家的汽車黑匣子都是用FRAM 做他們的存儲(chǔ)器.

Ramtron 的簡(jiǎn)介

Ramtron 公司成立于1984 年. 總部設(shè)在美國科羅拉多州的Colorado Springs 市. 公司于1992 年在美國納斯達(dá)克上市．Ramtron 是當(dāng)今領(lǐng)先的鐵電存貯器技術(shù)和產(chǎn)品供應(yīng)商．世界上決大部分重要的半導(dǎo)體存貯器制造商都向Ramtron 申請(qǐng)授權(quán)專利來做鐵電存貯器的研究. 他們包括 日本的Toshiba, Hitachi, Fujistu, Rohm, Asahi,韓國的Samsung, 和德國的Infineon。

在未來的幾年里, Ramtron 會(huì)繼續(xù)努力不斷降低成本.另外, 將在明年上半年推出兆級(jí)(Mbit) 密度的鐵電體. 大密度的鐵電體 (FRAM)將來會(huì)取代各類記億體,成為真正的超級(jí)存貯器”。