Vishay榮獲EDN China 2011創新獎最佳產品獎

賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應傳感器榮獲EDN China 2011創新獎。在12月1日上海舉行的頒獎典禮上，SiR870DP榮獲功率器件和模塊類的最佳產品獎，34 THE被授予無源元件和傳感器類的優秀產品獎。

EDN China創新獎于2005年推出，主要表彰在中國市場銷售的芯片和相關產品在設計方面所取得的成就。今年，超過80家公司的140款產品參加了9個技術類別的角逐。EDN China的在線讀者投票選出50款提名產品，由技術專家組和EDN的高級編輯從中選出了最終的獲獎產品。

100V SiR870DP采用了Vishay的新型ThunderFET®技術，在4.5V下的導通電阻為7.8mΩ，在業內領先，而且在10V下具有非常低的6mΩ導通電阻。對于設計者，器件更低的導通電阻意味著更低的傳導損耗，讓節能的綠色解決方案降低功耗。

SiR870DP在4.5V下的導通電阻與柵極電荷乘積低至208mΩ-nC，能夠為更高頻率和開關應用同時提供低傳導損耗和低開關損耗，該指標是衡量DC/DC轉換器應用中MOSFET的優值系數(FOM)。MOSFET能在4.5V下導通，在通信磚式電源和總線轉換器應用的隔離DC/DC電源中就能采用各種各樣的PWM和柵極驅動IC。

34 THE霍爾效應傳感器是業內首款采用非接觸技術的多匝傳感器，適用于在惡劣環境中要求使用長壽命傳感器的應用。10匝的34 THE采用的霍爾效應技術使其能在高達20G的高頻振動和高達50G的沖擊的條件下可靠工作。

這款真正上電即運行的位置傳感器采用伺服安裝時具有5千萬次循環的超長壽命，采用套筒安裝時的壽命為1千萬次，比目前的繞線多匝傳感器的壽命至少長10倍以上。34 THE的長壽命使其成為艦艇和越野車輛中方向盤伺服控制的理想選擇。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

ThunderFET®是Siliconix公司的注冊商標。

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