Vishay的PowerPAIR®功率MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 4 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR®功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。

　　中國電子成就獎的功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品年度獎項授予在設(shè)計和技術(shù)上有突出優(yōu)點，為工程師提供了新的強大功能，能夠大大節(jié)省時間、成本、占用空間等資源的產(chǎn)品。此外，該獎項頒發(fā)給將會在中國大陸地區(qū)產(chǎn)生重要影響的產(chǎn)品。

　　SiZ710DT是首款在6mm x 3.7mm的PowerPAIR封裝中采用TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙邊TrenchFET®功率MOSFET，可用于筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機中的系統(tǒng)電源、POL、低電流DC/DC和同步降壓應(yīng)用。器件的導(dǎo)通電阻比前一代MOSFET低43%，同時具有更高的最大電流并能提高效率。

　　SiZ710DT具有此類器件中最低的導(dǎo)通電阻，在小尺寸外形內(nèi)集成了低邊和高邊MOSFET，比DC/DC轉(zhuǎn)換器中由兩個分立器件組成的解決方案能節(jié)省很多空間。低邊的溝道2 MOSFET使用了針對非對稱結(jié)構(gòu)的優(yōu)化空間布局，在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為3.3mΩ和4.3mΩ，高邊溝道1 MOSFET在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為6.8mΩ和9.0mΩ。

　　頒獎儀式與在深圳舉行的IIC-China 2012(3月23日至25日)同期舉行，Vishay的中國及香港區(qū)高級銷售總監(jiān)Eric Lo代表Vishay領(lǐng)取了該獎項。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　PowerPAIR®和TrenchFET®是Vishay Siliconix公司的注冊商標(biāo)。