富士通半導體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品

　　上海，2013年7月23日 – 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。基于富士通半導體的GaN功率器件，用戶可以設(shè)計出體積更小，效率更高的電源組件，可廣泛的運用于ICT設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和汽車電子等領(lǐng)域。

　　圖1. MB51T008A

　　MB51T008A具有許多優(yōu)點，包括：1)導電阻13 mΩ，總柵極電荷為16 nC，使用相同的擊穿電壓，實現(xiàn)的品質(zhì)因數(shù)(FOM)大約是基于硅的電源芯片產(chǎn)品的一半;2)使用WLCSP封裝，最小的寄生電感和高頻率操作;3) 專有的柵極設(shè)計，可實現(xiàn)默認關(guān)閉狀態(tài)，可進行常關(guān)操作。新產(chǎn)品是數(shù)據(jù)通信設(shè)備、工業(yè)產(chǎn)品和汽車電源中使用的DC-DC轉(zhuǎn)換器的高邊開關(guān)和底邊開關(guān)的理想選擇。此外，由于其支持電源電路中更高的開關(guān)頻率，電源產(chǎn)品可實現(xiàn)整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導體計劃于2013年7月起開始提供樣片，并于2014年開始批量生產(chǎn)。

　　除了提供150 V的耐壓值產(chǎn)品，富士通半導體還開發(fā)了耐壓為600 V 和 30 V的產(chǎn)品，從而有助于在更寬廣的產(chǎn)品領(lǐng)域提高電源效率。這些GaN功率器件芯片采用富士通研究所自20世紀80年代來牽頭開發(fā)的HEMT (高電子遷移率晶體管)技術(shù)。富士通半導體在GaN領(lǐng)域擁有大量的專利技術(shù)和IP，可迅速將GaN功率器件產(chǎn)品推向市場。富士通半導體還計劃與客戶在各個行業(yè)建立合作伙伴關(guān)系，以進一步拓展業(yè)務。

　　富士通半導體于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其它GaN產(chǎn)品。時間：2013年7月17-19日，地點：日本東京國際博覽中心。公司會提供性能有進一步提高的具有2.5KW輸出功率的電源原形產(chǎn)品和測試數(shù)據(jù)， 該產(chǎn)品的高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器采用了600V耐壓的GaN功率器件。

　　關(guān)于富士通半導體(上海)有限公司

　　富士通半導體(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業(yè)務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連、廈門、西安、青島和武漢等地均設(shè)有分公司，負責統(tǒng)籌富士通在中國半導體的銷售、市場及現(xiàn)場技術(shù)支持服務。

　　富士通半導體(上海)有限公司的產(chǎn)品包括專用集成電路(ASIC)、單片機(MCU)、專用標準產(chǎn)品(ASSP)/片上系統(tǒng)(SoC)和系統(tǒng)存儲芯片，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應用于廣泛領(lǐng)域。在技術(shù)支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設(shè)計中心和解決方案設(shè)計中心，通過與客戶、設(shè)計伙伴、研發(fā)資源及其他零部件供應商的溝通、協(xié)調(diào)，共同開發(fā)完整的解決方案，從而形成一個包括中國在內(nèi)的完整的亞太地區(qū)設(shè)計、開發(fā)及技術(shù)支持網(wǎng)絡。欲了解更多信息，請訪問網(wǎng)站：http://cn.fujitsu.com/fss。

　　文中提及的公司名稱和產(chǎn)品名稱是其所有者的商標或者注冊商標。該新聞稿中的信息在發(fā)布時準確無誤，可能隨時發(fā)生變化，恕不先行通知。