聯(lián)電晉華合作 DRAM市場起波瀾

聯(lián)電接受中國大陸福建省晉華集成電路委托，開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)，工研院IEK認為，短期應不致對產(chǎn)業(yè)造成影響，但未來仍不排除可能對市場造成干擾。

中國大陸積極朝向記憶體領(lǐng)域發(fā)展，除合肥市政府與日本爾必達前社長(土反)本幸雄合作，還有紫光及武漢新芯也傳出有意進軍動態(tài)隨機存取記憶體（DRAM）市場。

福建省政府投資的晉華集成電路又找上晶圓代工廠聯(lián)電合作開發(fā)DRAM相關(guān)制程技術(shù)。

聯(lián)電今天指出，將在南科廠籌組超過 100人團隊，投入利基型DRAM相關(guān)生產(chǎn)制程開發(fā)，初期將先開發(fā)32奈米制程技術(shù)，將由晉華提供DRAM特用設(shè)備，并依開發(fā)進度支付技術(shù)報酬金作為開發(fā)費用。

除在技術(shù)開發(fā)時期有開發(fā)權(quán)利金入帳外，聯(lián)電表示，未來投產(chǎn)后，晉華也將再支付權(quán)利金；另外，透過DRAM技術(shù)與邏輯技術(shù)結(jié)合，還有助強化聯(lián)電在系統(tǒng)單晶片（SOC）方面的競爭力。

對于聯(lián)電與晉華合作開發(fā)利基型DRAM制程技術(shù)，臺灣DRAM廠南亞科態(tài)度低調(diào)，并不評論。

工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心系統(tǒng)IC與制程研究部經(jīng)理彭茂榮表示，聯(lián)電仍未投入技術(shù)開發(fā)，晉華也尚未建廠，估計至少1年內(nèi)不會對DRAM產(chǎn)業(yè)造成影響。

只是目前中國大陸業(yè)者尚未跨入DRAM市場，市場波動即已相當劇烈，彭茂榮說，今年DRAM產(chǎn)品平均售價恐將下滑30%，產(chǎn)值將較去年衰退15%，預期未來隨著中國大陸廠商陸續(xù)搶進后，仍不排除對DRAM市場造成干擾。