如何改變電源頻率以降低EMI性能
摘 要:本文這種方法涉及了對(duì)電源開(kāi)關(guān)頻率的調(diào)制,以引入邊帶能量,并改變窄帶噪聲到寬帶的發(fā)射特征,從而有效地衰減諧波峰值。需要注意的是,總體EMI性能并沒(méi)有降低,只是被重新分布了。
利用正弦調(diào)制,可控變量的兩個(gè)變量為調(diào)制頻率(fm)以及您改變電源開(kāi)關(guān)頻率(Δf)的幅度。調(diào)制指數(shù)(Β)為這兩個(gè)變量的比:
Β=Δf/fm
圖1顯示了通過(guò)正弦波改變調(diào)制指數(shù)產(chǎn)生的影響。當(dāng)Β=0時(shí),沒(méi)有出現(xiàn)頻移,只有一條譜線。當(dāng)Β=1時(shí),頻率特征開(kāi)始延伸,且中心頻率分量下降了20%。當(dāng)Β=2時(shí),該特征將進(jìn)一步延伸,且最大頻率分量為初始狀態(tài)的60%。頻率調(diào)制理論可以用于量化該頻譜中能量的大小。Carson法則表明大部分能量都將被包含在2*(Δf+fm)帶寬中。
圖1:調(diào)制電源開(kāi)關(guān)頻率延伸了EMI特征。
圖2顯示了更大的調(diào)制指數(shù),并表明降低12dB以上的峰值EMI性能是有可能的。
圖2:更大的調(diào)制指數(shù)可以進(jìn)一步降低峰值EMI性能。
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