推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的TrenchFET®功率MOSFET

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 1 月14 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。這些MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，采用1mm x 1mm x 0.55mm和1.6mm x 1.6mm x 0.6mm的CSP MICRO FOOT®封裝。

　　在智能手機(jī)、平板電腦和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應(yīng)用中，今天推出的器件將用于電池和負(fù)載切換。MOSFET的小尺寸可節(jié)約PCB空間，實(shí)現(xiàn)超薄的外形，讓便攜式電子產(chǎn)品變得更薄、更輕，而且器件的低導(dǎo)通電阻能夠?qū)崿F(xiàn)更低的傳導(dǎo)損耗，從而降低能耗，延長(zhǎng)兩次充電間的電池壽命。器件的低導(dǎo)通電阻還意味著在負(fù)載開關(guān)上的壓降更低，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。

　　對(duì)于導(dǎo)通電阻比空間更重要的應(yīng)用場(chǎng)合，8V N溝道Si8424CDB和20V P溝道Si8425DB在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和23mΩ。器件采用1.6mm x 1.6mm x 0.6mm CSP封裝。更小的1mm x 1mm x 0.55mm的Si8466EDB 8V N溝道MOSFET在4.5V下的最大導(dǎo)通電阻為43mΩ，將用于空間比導(dǎo)通電阻更重要的應(yīng)用場(chǎng)合。Si8466EDB的典型ESD保護(hù)達(dá)到3000V。

　　Si8466EDB和Si8424CDB可在1.2V電壓下導(dǎo)通，可與手持設(shè)備中常見的更低電壓的柵極驅(qū)動(dòng)和更低的總線電壓配合工作，省掉電平轉(zhuǎn)換電路的空間和成本。今天推出的所有器件都符合RoHS指令2011/65/EU，符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定。

　　VISHAY簡(jiǎn)介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

　　TrenchFET®和MICRO FOOT®是Vishay Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。