頻率范圍全面覆蓋,滿足多樣化需求: ? CMOS可編程晶振:1~200MHz寬廣選擇,為您的基礎(chǔ)應(yīng)用提供穩(wěn)定可靠的支持。 ? 可編程差分晶振:高達(dá)2100MHz的卓越性能,滿足高速數(shù)據(jù)傳輸與信號(hào)處理的高標(biāo)準(zhǔn)要求。 ? 可編程壓控晶振:15~2100MHz靈活可調(diào),適應(yīng)復(fù)雜多變的頻率控制需求。
晶振辨別方法總體為兩種:第一種是肉眼識(shí)別法(晶振外觀識(shí)別、印字標(biāo)識(shí)識(shí)別、晶振包裝風(fēng)格);第二種是萬(wàn)用表檢測(cè)法;
在晶體的振蕩電路中一般會(huì)設(shè)計(jì)兩個(gè)電阻,一個(gè)是跨接在晶振兩端,叫做反饋電阻Rf;一個(gè)接在IC的輸出端,叫做限流電阻RD;同晶體相連旁接的電容稱(chēng)之為負(fù)載匹配電容,通過(guò)調(diào)整容值的大小可以改變振蕩電路的頻率,而這些波形頻率測(cè)試就可以觀察的到。
恒溫晶振:利用恒溫槽使晶體振蕩器中石英晶體諧振器的溫度保持恒定,將由周?chē)鷾囟茸兓鸬恼袷幤鬏敵鲱l率變化量削減到最小的晶體振蕩器。 溫補(bǔ)晶振:利用熱敏電阻搭成溫補(bǔ)網(wǎng)絡(luò),通過(guò)計(jì)算來(lái)補(bǔ)償石英晶體溫度頻率曲線使其平滑,來(lái)實(shí)現(xiàn)在寬溫度范圍的頻率穩(wěn)定度。
差分晶振通過(guò)差分信號(hào)輸出,在抗干擾、信號(hào)完整性、EMI抑制等方面有顯著優(yōu)勢(shì),能夠提供更穩(wěn)定、更高速性能的時(shí)鐘信號(hào)。 因此差分晶振通常用于高速通信系統(tǒng)、光模塊、高速串行接口(如PCIe、USB 3.x)等場(chǎng)景。
晶振是電子設(shè)備中的關(guān)鍵元件,為各類(lèi)電子產(chǎn)品提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)。了解晶振的主要參數(shù)能夠更好地了解晶振性能以及如何根據(jù)參數(shù)選擇合適的晶振。
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晶振在最低階振動(dòng)模式下產(chǎn)生的頻率,也就是它的“主振動(dòng)頻率”。基頻是晶振最基礎(chǔ)、最主要的振動(dòng)頻率,其他振動(dòng)模式(如泛音)都是基于基頻的倍數(shù)或衍生。基頻決定了晶振的核心工作頻率。
晶振是晶體振蕩器的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種利用石英晶體的壓電效應(yīng)產(chǎn)生穩(wěn)定振蕩頻率的電子元件
LVPECL電平的差分?jǐn)[幅較大(典型值約800mV),共模電壓較高(約1.3V-1.9V),需外部端接電阻匹配;而LVDS差分?jǐn)[幅較小(350mV),共模電壓較低(約1.2V),且LVDS接收端內(nèi)置端接電阻?。
有源晶振外接電路有源晶振通常的用法:一腳懸空,二腳接地,三腳接輸出,四腳接電壓。有源晶振不需要MCU的內(nèi)部振蕩器,連接方式相對(duì)簡(jiǎn)單。
溫補(bǔ)晶振(Temperature Compensated Crystal Oscillator,TCXO) 是一種通過(guò)溫度補(bǔ)償技術(shù)提升頻率穩(wěn)定性的晶體振蕩器。其核心目標(biāo)是抵消因環(huán)境溫度變化導(dǎo)致的晶體諧振頻率漂移,使輸出頻率更穩(wěn)定。
晶振,即石英晶體振蕩器,是電子設(shè)備中用于產(chǎn)生穩(wěn)定振蕩信號(hào)的元件。在光模塊中,晶振的主要作用是提供高精度的時(shí)鐘信號(hào)和頻率控制,確保光模塊在高速傳輸時(shí)保持穩(wěn)定性和可靠性。晶振的性能直接影響光模塊的傳輸速率、傳輸距離、功耗和體積等關(guān)鍵參數(shù)。
晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機(jī)械振動(dòng)(在壓電晶體層面)。當(dāng)兩個(gè)晶振靠得很近時(shí),它們的機(jī)械振動(dòng)可能會(huì)相互影響。一個(gè)晶振的振動(dòng)可能會(huì)通過(guò)電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個(gè)晶振,從而改變另一個(gè)晶振的振動(dòng)特性。這種情況在一些對(duì)振動(dòng)較為敏感的高精度測(cè)量?jī)x器中尤為重要。
晶振的頻率和振幅是兩個(gè)獨(dú)立的參數(shù),它們之間沒(méi)有直接的固定關(guān)系。但在實(shí)際應(yīng)用中,它們會(huì)相互影響并共同決定晶振的性能和應(yīng)用場(chǎng)景。因此,在選擇晶振時(shí),需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求來(lái)綜合考慮這兩個(gè)參數(shù)以及其他相關(guān)因素。
數(shù)字電路的同步基準(zhǔn),保持頻率準(zhǔn)確性,協(xié)調(diào)不同模塊的工作,產(chǎn)生多種頻率信號(hào),提供精確的時(shí)間基準(zhǔn)
晶體元件的負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容,即晶振要正常振蕩所需要的電容。一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。
24MHz 無(wú)源晶振為 CPU、GPU、內(nèi)存等組件提供統(tǒng)一的時(shí)鐘基準(zhǔn),確保它們按照精確的節(jié)奏協(xié)同工作,使數(shù)據(jù)的傳輸、處理和存儲(chǔ)能夠有條不紊地進(jìn)行。
晶振是一種頻率元器件,廣泛使用在電子產(chǎn)品中,例如監(jiān)控設(shè)備、手機(jī)、吸塵器、智能穿戴等產(chǎn)品都會(huì)有晶振的存在。我們常見(jiàn)到的晶振有插件晶振,貼片晶振。
晶振切割工藝就是對(duì)晶體坐標(biāo)軸某種角度去切割。切型有非常多的種類(lèi),因?yàn)槭⑹歉飨虍愋缘模圆煌那行推湮锢硇再|(zhì)不同。切面的方向與主軸的夾角對(duì)其性能有著非常重要的影響,比如頻率穩(wěn)定性、Q值、溫度性能等。
2024-05-16
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2024-04-29